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隨著半導(dǎo)體技術(shù)革新的日新月異，對(duì)GaN的關(guān)注度也愈發(fā)高漲

由于5G通信的高速發(fā)展，帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)的革新。半導(dǎo)體材料也由新材料GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）代替了原先Si（硅）材料。通訊基站為了支持高速通訊的同時(shí)并能夠有效的控制用電量，現(xiàn)如今正在研發(fā)一種使用GaN芯片的晶體管。而Tecdia新研發(fā)出的「高長(zhǎng)寬比電容」能夠完美的匹配GaN芯片封裝設(shè)計(jì)，為通信市場(chǎng)做出貢獻(xiàn)。

需求

采用前的狀態(tài)、問(wèn)題

市場(chǎng)需求一款能夠與GaN芯片大小相匹配的單層陶瓷電容

解決方案

問(wèn)題的解決策略

制作一款顛覆常識(shí)性的長(zhǎng)寬比為1:6的矩形電容

要點(diǎn)

決定采用的理由

能夠滿足顧客需求的設(shè)計(jì)能力與打破常規(guī)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品制造技術(shù)

結(jié)果

情況與效果

為縮短封裝工序與降本做出貢獻(xiàn)

需求采用前的狀態(tài)、問(wèn)題

市場(chǎng)需求一款能夠與GaN芯片尺寸相匹配的單層陶瓷電容

在將GaN芯片與單層陶瓷電容打線接合時(shí)，由于GaN芯片的輸出功率非常強(qiáng)大，為了能匹配與之相應(yīng)的需求，一般會(huì)用多根引線進(jìn)行調(diào)整。而由于市場(chǎng)上主流的GaN芯片都以矩形為主，所以電容的長(zhǎng)度必須要與GaN芯片所吻合。但是單層陶瓷電容的制作對(duì)長(zhǎng)寬比有限制要求，所以需生產(chǎn)一款能夠與之尺寸匹配的電容并非易事

（↑目前為止的匹配方法。必須使用復(fù)數(shù)的電容與之匹配）

解決方案問(wèn)題的解決策略

「高長(zhǎng)寬比矩形電容」減少配件數(shù)量

Tecdia成功研制出了能夠與GaN芯片尺寸完美匹配的矩形單層陶瓷電容。一般來(lái)說(shuō)電容的長(zhǎng)寬極限比為1:3，而突破這層極限調(diào)整比例為 1:6的話不但可以免去使用多個(gè)電容排列，同時(shí)還能夠減少部件的封裝數(shù)量，降本增效。

要點(diǎn)決定采用的理由

能夠滿足顧客需求的設(shè)計(jì)能力與打破常規(guī)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品制造技術(shù)

由于單層陶瓷電容的高長(zhǎng)寬比的設(shè)計(jì)，會(huì)給制造上帶來(lái)諸多不便。例如在切割過(guò)程中容易碎裂，金膜容易脫落等等。而Tecdia獨(dú)有的加工技術(shù)能夠有效控制切割過(guò)程中的易碎問(wèn)題，并在設(shè)計(jì)時(shí)采用表面留邊，使金膜能夠從表層滲透進(jìn)入內(nèi)側(cè)從而杜絕脫落的問(wèn)題。同時(shí)聆聽(tīng)顧客關(guān)于熱膨脹可能引起產(chǎn)品彎曲破裂等反饋，將底面改變成無(wú)鍍金設(shè)計(jì)。

結(jié)果情況與效果

省去了縱向同時(shí)封裝多個(gè)電容的繁瑣，為顧客實(shí)行降本增效做出貢獻(xiàn)

分類：通信（光通信/無(wú)線通信/5G/6G)

客戶信息

微波通信業(yè)

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